G30N20T - описание и поиск аналогов

 

G30N20T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G30N20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для G30N20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G30N20T даташит

 ..1. Size:4018K  goford
 g30n20k g30n20t g30n20f.pdf pdf_icon

G30N20T

GOFORD G30N20 Description The G30N20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ 10V (Typ) 200V 62m 30A Schematic diagram High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G1NP02ELL , G2003A , G20N06J , G3035-23 , G30N03A , G30N03D3 , G30N04D3 , G30N20K , IRF520 , G30N20F , G33N03D3 , G48N03D3 , G4N60K , G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F .

History: SI2351DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.