Справочник MOSFET. G50N03A

 

G50N03A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G50N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Выходная емкость (Cd): 280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для G50N03A

 

 

G50N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2370K  goford
 g50n03a.pdf

G50N03A G50N03A

GOFORDG50N03ADESCRIPTIONThe G50N03A uses advanced trench technologyAnd design to provide excellent RDS (ON ) withLow gate charge . It can be used in a wideTO-252 Vanety of applications .GENERAL FEATURESVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 4.5V (Typ) @ 10V (Typ)30V10m 6.2 m 50 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized Avalanche voltage

 0.1. Size:1339K  cn yangzhou yangjie elec
 yjg50n03a.pdf

G50N03A G50N03A

RoHS COMPLIANT YJG50N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V = 10V) 4.7mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 6.0mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density ce

 8.1. Size:513K  mcc
 mcg50n03.pdf

G50N03A G50N03A

MCG50N03Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Order

 8.2. Size:624K  goford
 g50n03k.pdf

G50N03A G50N03A

GOFORD G50N03KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe G50N03K uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS 30V Schematic diagram ID (at VGS = 10V) 65A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top