Справочник MOSFET. G5N50F

 

G5N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G5N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G5N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1635K  goford
 g5n50t g5n50f g5n50j g5n50k.pdf pdf_icon

G5N50F

G5N50KGOFORDDescription 500V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ApplicationFeaturesR DS(ON)(Max)IVDSS D .@ VGS = 10V DC Motor Control and Class D Amplifier 500V 5A Uninterruptible Power Supply (UPS) 1.4 Fast switching HID 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS Compliant & Halogen-Free Package Ordering Informa

 9.1. Size:1205K  lonten
 lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf pdf_icon

G5N50F

LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM8206AO | FS3UM-16A | CHM1024VGP | 2N7002DW1T1 | NCEP01T25T | BSS138 | HGD090NE6AL

 

 
Back to Top

 


 
.