2SK1795. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1795

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK1795

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1795 даташит

 ..1. Size:396K  1
 2sk1795.pdf pdf_icon

2SK1795

 8.1. Size:525K  1
 2sk1796.pdf pdf_icon

2SK1795

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.2. Size:403K  1
 2sk1794.pdf pdf_icon

2SK1795

 8.3. Size:385K  nec
 2sk1793-z.pdf pdf_icon

2SK1795

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1756, 2SK1757, 2SK1758, 2SK1760, 2SK1784, 2SK1785, 2SK1793, 2SK1794, IRFP460, 2SK1796, 2SK1824, 2SK1850, 2SK1851, 2SK1852, 2SK1853, 2SK1917-MR, 2SK193