Справочник MOSFET. GT125N10T

 

GT125N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT125N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для GT125N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT125N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3940K  goford
 gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf pdf_icon

GT125N10T

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

 9.1. Size:414K  russia
 gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf pdf_icon

GT125N10T

Другие MOSFET... GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , IRFZ44N , GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T .

History: UF830L-T2Q-T | BSS138AKDW | HUFA76639P3 | SM2202NSQE | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.