Справочник MOSFET. GT125N10F

 

GT125N10F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GT125N10F

Маркировка: GT125N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 101.6 nC

Время нарастания (tr): 7.5 ns

Выходная емкость (Cd): 792.3 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для GT125N10F

 

 

GT125N10F Datasheet (PDF)

0.1. gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf Size:3940K _goford

GT125N10F
GT125N10F

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

9.1. gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf Size:414K _russia

GT125N10F

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top