SSP45N20A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSP45N20A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 176 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 117 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 530 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO220
SSP45N20A Datasheet (PDF)
ssp45n20a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.065 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 35 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.054 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic V
ssp45n20b.pdf
November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored
ssp45n20b sss45n20b.pdf
November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... SSP1N60A , SSP2N60A , SSP2N80A , SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A , SSP3N80A , SSP3N90A , 5N50 , SSP4N55 , SSP4N60 , SSP4N60AS , SSP4N70 , SSP4N70A , SSP4N80A , SSP4N80AS , SSP4N90A .
