Справочник MOSFET. DMT6004LPS

 

DMT6004LPS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMT6004LPS
   Маркировка: T6004LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 96.3 nC
   Время нарастания (tr): 17.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 1477 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8

 Аналог (замена) для DMT6004LPS

 

 

DMT6004LPS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  diodes
dmt6004lps.pdf

DMT6004LPS DMT6004LPS

DMT6004LPS Green60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 0.1. Size:378K  1
dmt6004lps-13.pdf

DMT6004LPS DMT6004LPS

DMT6004LPS Green60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 7.1. Size:287K  diodes
dmt6004sct.pdf

DMT6004LPS DMT6004LPS

DMT6004SCT 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Low Input/Output Leakage (Note 9) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 3.65m @ VGS = 10V 100A Halogen and Antimony Fre

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
dmt6004sct.pdf

DMT6004LPS DMT6004LPS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMT6004SCTFEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top