DMT6004LPS - описание и поиск аналогов

 

DMT6004LPS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT6004LPS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1477 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMT6004LPS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT6004LPS даташит

 ..1. Size:378K  diodes
dmt6004lps.pdfpdf_icon

DMT6004LPS

DMT6004LPS Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 0.1. Size:378K  1
dmt6004lps-13.pdfpdf_icon

DMT6004LPS

DMT6004LPS Green 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID MAX 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 100A 3.1m @ VGS = 10V Low QG Minimizes Switching Losses 60V Lead-Free Finish; RoHS Comp

 7.1. Size:287K  diodes
dmt6004sct.pdfpdf_icon

DMT6004LPS

DMT6004SCT 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Low Input/Output Leakage (Note 9) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 3.65m @ VGS = 10V 100A Halogen and Antimony Fre

 7.2. Size:261K  inchange semiconductor
dmt6004sct.pdfpdf_icon

DMT6004LPS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMT6004SCT FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

Другие MOSFET... DMT3020LFDF , DMT3020LSD , DMT31M6LPS , DMT32M5LFG , DMT32M5LPS , DMT4002LPS , DMT4011LFG , DMT40M9LPS , IRF530 , DMT6004SCT , DMT6005LPS , DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , DMT69M8LSS , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 .

History: DMTH4005SCT | ME2345A | BSC042NE7NS3G | DMTH10H010SCT | IPA037N08N3 | IRLU120 | AGM403DG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.