Справочник MOSFET. DMT6005LPS

 

DMT6005LPS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMT6005LPS
   Маркировка: T6005LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 965.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8

 Аналог (замена) для DMT6005LPS

 

 

DMT6005LPS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  diodes
 dmt6005lps.pdf

DMT6005LPS DMT6005LPS

DMT6005LPS Green60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID 100% Unclamped Inductive Switching ensures more reliable and BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C robust end application (Note 9) Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 4.5m @ VGS = 10V 100A 60V Low QG Minimizes Switching Losses 6.5m @ VGS = 4.5V 100A Lead

 0.1. Size:487K  1
 dmt6005lps-13.pdf

DMT6005LPS DMT6005LPS

DMT6005LPS Green60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID 100% Unclamped Inductive Switching ensures more reliable and BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C robust end application (Note 9) Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 4.5m @ VGS = 10V 100A 60V Low QG Minimizes Switching Losses 6.5m @ VGS = 4.5V 100A Lead

 6.1. Size:412K  diodes
 dmt6005lct.pdf

DMT6005LPS DMT6005LPS

GreenDMT6005LCT 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application 6m @ VGS = 10V 100A Low Input Capacitance 60V 10m @ VGS = 4.5V 85A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halo

 6.2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmt6005lct.pdf

DMT6005LPS DMT6005LPS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMT6005LCTFEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSP4N60

 

 
Back to Top