DMT69M8LSS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DMT69M8LSS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для DMT69M8LSS
DMT69M8LSS Datasheet (PDF)
dmt69m8lss.pdf

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE DMT6012LSS DMT69M8LSS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 High Conversion Efficiency C Low RDS(ON) Ensures On-State Losses Are Minimized 12m @ VGS = 10V 9.8A 60V Excellent QGD x RDS(
Другие MOSFET... DMT4011LFG , DMT40M9LPS , DMT6004LPS , DMT6004SCT , DMT6005LPS , DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , IRFZ24N , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS .
History: 2SK1349 | IRF7322D1PBF | BRCS3139ZK | MSF5N50 | 3SK317 | NCE0275T | APT21M100J
History: 2SK1349 | IRF7322D1PBF | BRCS3139ZK | MSF5N50 | 3SK317 | NCE0275T | APT21M100J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor