Справочник MOSFET. DMT69M8LSS

 

DMT69M8LSS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMT69M8LSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMT69M8LSS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT69M8LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  diodes
 dmt69m8lss.pdf pdf_icon

DMT69M8LSS

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN USE DMT6012LSS DMT69M8LSS 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 High Conversion Efficiency C Low RDS(ON) Ensures On-State Losses Are Minimized 12m @ VGS = 10V 9.8A 60V Excellent QGD x RDS(

Другие MOSFET... DMT4011LFG , DMT40M9LPS , DMT6004LPS , DMT6004SCT , DMT6005LPS , DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , IRFZ24N , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS .

History: FQP2N60 | AUIRFN8401 | SE2302 | LND150N3 | CJS8820 | FDMS8672AS | AP30P10GS

 

 
Back to Top

 


 
.