DMT8012LK3 - описание и поиск аналогов

 

DMT8012LK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT8012LK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DMT8012LK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT8012LK3 даташит

 ..1. Size:502K  diodes
dmt8012lk3.pdfpdf_icon

DMT8012LK3

DMT8012LK3 Green 80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C High Conversion Efficiency Low Input Capacitance 17m @ VGS = 10V 44A Fast Switching Speed 80V Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 22m @ VGS = 4.5V 38A Halogen a

 6.1. Size:267K  diodes
dmt8012lfg.pdfpdf_icon

DMT8012LK3

DMT8012LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Product Summary Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) TC = +25 C Advanced Technology for DC/DC converts 16m @ VGS = 10V 35A 80V Small form factor thermally efficient package enables higher 22m @ VGS =

 9.1. Size:480K  fairchild semi
fdmt800152dc.pdfpdf_icon

DMT8012LK3

March 2015 FDMT800152DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 m Features General Description Max rDS(on) = 9.0 m at VGS = 10 V, ID = 13 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 11.5 m at VGS = 6 V, ID = 11 A Semiconductor s advanced PowerTrench process. Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) Advancements in bo

 9.2. Size:364K  fairchild semi
fdmt800150dc.pdfpdf_icon

DMT8012LK3

February 2015 FDMT800150DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 m Features General Description Max rDS(on) = 6.5 m at VGS = 10 V, ID = 15 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Max rDS(on) = 8.4 m at VGS = 6 V, ID = 13 A Semiconductor s advanced PowerTrench process. Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) Advancements in

Другие MOSFET... DMT40M9LPS , DMT6004LPS , DMT6004SCT , DMT6005LPS , DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , DMT69M8LSS , AO4407 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS , DMTH6004SK3 .

History: 8N90A | SPB80N06S2L-07 | SM4033NHU | MSD23N58 | FHP630A | NTTFS4C25N | LPN1010C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.