DMTH4004SCTB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMTH4004SCTB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1441 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO263AB
Аналог (замена) для DMTH4004SCTB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMTH4004SCTB даташит
dmth4004sctb.pdf
Green DMTH4004SCTB 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID Environments BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable (Note 9) and Robust End Application 40V 3m @ VGS = 10V 100A Low RDS(ON) Minimizes Power Losses
dmth4004sctb.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMTH4004SCTB FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.0m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general
dmth4004lk3.pdf
DMTH4004LK3 Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to 175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments (Note 9) 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and 3m @ VGS = 10V 100A Robust End Application 40V 5m @ VGS = 4.5V 100A Low Rdson
dmth4007lps-13.pdf
DMTH4007LPS Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C High Conversion Efficiency 100A 6.5m @ VGS = 10V Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 40V 9.8m @ VGS = 4.5V 80A Low Input Capacitance Fast Swi
Другие MOSFET... DMT6005LPS , DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , DMT69M8LSS , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , IRFP250 , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS , DMTH6004SK3 , DMTH6004SK3Q , DMTH6005LK3Q , DMTH6009LK3 .
History: TK6P65W | SM4029NSU | SCT3080KLHR | CM2N60F | 2SK1838S
History: TK6P65W | SM4029NSU | SCT3080KLHR | CM2N60F | 2SK1838S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet







