DMTH4005SK3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMTH4005SK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 902 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DMTH4005SK3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMTH4005SK3 даташит
dmth4005sk3.pdf
Green DMTH4005SK3 40V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features C ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Environments 100% Unclamped Inductive Switching ensures more reliable 40V 95A 4.5m @ VGS = 10V and robust end application Low RDS(ON) minimizes power losses Low
dmth4005sct.pdf
DMTH4005SCT 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID Environments BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 40V 4.7m @ VGS = 10V 100A and Robust End Application Low Input Capacitance Low Input/Output Leakage
dmth4005sct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMTH4005SCT FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p
dmth4007lps-13.pdf
DMTH4007LPS Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C High Conversion Efficiency 100A 6.5m @ VGS = 10V Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 40V 9.8m @ VGS = 4.5V 80A Low Input Capacitance Fast Swi
Другие MOSFET... DMT6009LFG , DMT6009LPS , DMT6009LSS , DMT69M8LSS , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , IRF1407 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS , DMTH6004SK3 , DMTH6004SK3Q , DMTH6005LK3Q , DMTH6009LK3 , DMTH6009LK3Q .
History: MDP10N055TH | SLC013RN06G
History: MDP10N055TH | SLC013RN06G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor







