DMTH6004SK3 - описание и поиск аналогов

 

DMTH6004SK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH6004SK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1383 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DMTH6004SK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH6004SK3 даташит

 ..1. Size:632K  diodes
dmth6004sk3.pdfpdf_icon

DMTH6004SK3

Green DMTH6004SK3 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C Ideal For High Ambient Temperature ID Max Environments BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable (Note 9) and Robust End Application 60V 3.8m @ VGS = 10V 100A Low RDS(ON) Minimizes Power Losses

 0.1. Size:601K  diodes
dmth6004sk3q.pdfpdf_icon

DMTH6004SK3

Green DMTH6004SK3Q 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features C ID Max Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature Environments BVDSS RDS(ON) Max QG Typ TC = +25 C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable (Note 10) and Robust End Application 95.4nC 60V 3.8m @ VGS = 10V 100A Low RDS(ON) M

 5.1. Size:339K  diodes
dmth6004sct.pdfpdf_icon

DMTH6004SK3

DMTH6004SCT 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Low Input/Output Leakage (Note 9) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 3.65m @ VGS = 10V 100A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

 5.2. Size:541K  diodes
dmth6004sctb.pdfpdf_icon

DMTH6004SK3

DMTH6004SCTB Green 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments (Note 9) 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 60V 3.4m @ VGS = 10V 100A and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses

Другие MOSFET... DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , DMTH4007LPS , DMTH6002LPS , RFP50N06 , DMTH6004SK3Q , DMTH6005LK3Q , DMTH6009LK3 , DMTH6009LK3Q , DMTH6010LK3 , DMTH6010LPSQ , DMTH6016LSD , DMTH8003SPS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.