DMTH6010LPSQ - описание и поиск аналогов

 

DMTH6010LPSQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH6010LPSQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 746 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMTH6010LPSQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH6010LPSQ даташит

 ..1. Size:536K  diodes
 dmth6010lpsq.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ

 0.1. Size:536K  1
 dmth6010lpsq-13.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ

 5.1. Size:539K  diodes
 dmth6010lk3.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ

Green DMTH6010LK3 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID Max Excellent Qgd x RDS (ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Advanced Technology for DC/DC Converters 8m @ VGS = 10V 70A 60V Small form factor thermally efficient package enables hi

 6.1. Size:477K  diodes
 dmth6010sct.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ

DMTH6010SCT 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 60V 7.2m @ VGS = 10V 100A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low Input Capacitance Description Low Input/Output Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMTH4007LPS , DMTH6002LPS , DMTH6004SK3 , DMTH6004SK3Q , DMTH6005LK3Q , DMTH6009LK3 , DMTH6009LK3Q , DMTH6010LK3 , IRF2807 , DMTH6016LSD , DMTH8003SPS , DMTH8012LPSW , ZXMP10A13FQ , ZXMS6005DGQ-13 , 19N20 , DMG10N60SCT , DMG3N60SJ3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.