Справочник MOSFET. SSP4N80AS

 

SSP4N80AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSP4N80AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP4N80AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  samsung
ssp4n80as.pdfpdf_icon

SSP4N80AS

SSP4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2.450 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

 6.1. Size:860K  samsung
ssp4n80a.pdfpdf_icon

SSP4N80AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 7.1. Size:203K  samsung
ssp4n80.pdfpdf_icon

SSP4N80AS

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 9.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

SSP4N80AS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTB12N03J3 | SM3315NSQG | IXFV15N100PS | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.