SSP4N80AS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSP4N80AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSP4N80AS
SSP4N80AS Datasheet (PDF)
ssp4n80as.pdf
SSP4N80ASAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-220 Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 2.450 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch
ssp4n80a.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 3.400 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value
ssp4n80.pdf
www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
Другие MOSFET... SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 , SSP4N60 , SSP4N60AS , SSP4N70 , SSP4N70A , SSP4N80A , IRFZ48N , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A , SSP6N55 , SSP6N60 , SSP6N70A , SSP6N80A .
History: TN0104N3
History: TN0104N3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM3404E | AGM3401E | AGM3400EL | AGM30P10A | AGM30P100D | AGM30P100A | AGM30P08D | AGM30P08AP | AGM30P08A | AGM30P05D | AGM30P05AP | AGM30P05A | AGM308SR | AGM308S | AGM308MN | AGMS5N50D
Popular searches
3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705









