DMN95H8D5HCTI - описание и поиск аналогов

 

DMN95H8D5HCTI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN95H8D5HCTI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для DMN95H8D5HCTI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN95H8D5HCTI даташит

 ..1. Size:358K  diodes
dmn95h8d5hcti.pdfpdf_icon

DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID MAX BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25 C ITO220AB Low Input/Output Leakage 950V 7 @VGS = 10V 2.5A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Des

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
dmn95h8d5hcti.pdfpdf_icon

DMN95H8D5HCTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN95H8D5HCTI FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 950V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

 2.1. Size:347K  1
dmn95h8d5hct.pdfpdf_icon

DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS (@ TJ Max) RDS(ON) TC = +25 C High BVDSS Rating for Power Application 1000V 7 @VGS = 10V 2.5A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description This new genera

 2.2. Size:258K  inchange semiconductor
dmn95h8d5hct.pdfpdf_icon

DMN95H8D5HCTI

isc N-Channel Mosfet Transistor DMN95H8D5HCT FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 950V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V D

Другие MOSFET... DMN6017SK3 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , 20N60 , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 .

History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.