DMN95H8D5HCTI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMN95H8D5HCTI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для DMN95H8D5HCTI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMN95H8D5HCTI даташит
dmn95h8d5hcti.pdf
DMN95H8D5HCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID MAX BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25 C ITO220AB Low Input/Output Leakage 950V 7 @VGS = 10V 2.5A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Des
dmn95h8d5hcti.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMN95H8D5HCTI FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 950V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general
dmn95h8d5hct.pdf
DMN95H8D5HCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS (@ TJ Max) RDS(ON) TC = +25 C High BVDSS Rating for Power Application 1000V 7 @VGS = 10V 2.5A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description This new genera
dmn95h8d5hct.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor DMN95H8D5HCT FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 950V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V D
Другие MOSFET... DMN6017SK3 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , DMN80H2D0SCTI , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , 20N60 , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 .
History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D
History: DMJ70H1D0SV3 | 1D5N60 | AGM60P90D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n



