DMNH4006SK3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMNH4006SK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 556 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DMNH4006SK3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMNH4006SK3 даташит
dmnh4006sk3.pdf
DMNH4006SK3 Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) Max TC = +25 C Low Input Capacitance 40V 6m @ VGS = 10V 140A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability De
dmnh4006sk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH4006SK3 FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.0m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p
dmnh4006spsq-13.pdf
DMNH4006SPSQ Green 40V N-CHANNEL 175 C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low
dmnh4006spsq.pdf
DMNH4006SPSQ Green 40V N-CHANNEL 175 C MOSFET PowerDI Product Summary Features and Benefits ID Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 40V 110A 7.0m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses Low
Другие MOSFET... DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 , DMNH4005SCT , IRFZ44 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , DMNH6012LK3 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 , DMT10H010LCT , DMT4003SCT .
History: BS107ARL1 | IRF630MFP | IRHQ567110 | TPH2R608NH | SE8841A | KHB7D0N65F2
History: BS107ARL1 | IRF630MFP | IRHQ567110 | TPH2R608NH | SE8841A | KHB7D0N65F2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n




