DMTH6004SCTB - описание и поиск аналогов

 

DMTH6004SCTB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH6004SCTB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1383 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: TO263AB

Аналог (замена) для DMTH6004SCTB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH6004SCTB даташит

 ..1. Size:541K  diodes
dmth6004sctb.pdfpdf_icon

DMTH6004SCTB

DMTH6004SCTB Green 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments (Note 9) 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 60V 3.4m @ VGS = 10V 100A and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
dmth6004sctb.pdfpdf_icon

DMTH6004SCTB

isc N-Channel MOSFET Transistor DMTH6004SCTB FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

 3.1. Size:339K  diodes
dmth6004sct.pdfpdf_icon

DMTH6004SCTB

DMTH6004SCT 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Low Input/Output Leakage (Note 9) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 60V 3.65m @ VGS = 10V 100A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

 3.2. Size:261K  inchange semiconductor
dmth6004sct.pdfpdf_icon

DMTH6004SCTB

isc N-Channel MOSFET Transistor DMTH6004SCT FEATURES Drain Current I = 100A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general

Другие MOSFET... DMT6009LCT , DMT6010SCT , DMTH10H005LCT , DMTH10H005SCT , DMTH10H010LCT , DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , IRF9540 , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 .

History: SLU4N65U | 2SK1154

 

 

 

 

↑ Back to Top
.