FCD260N65S3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCD260N65S3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FCD260N65S3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCD260N65S3 даташит
fcd260n65s3.pdf
FCD260N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 12 A, 260 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored
fcd260n65s3.pdf
FCD260N65S3 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored t
fcd260n65s3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FCD260N65S3 FEATURES Drain Current I = 12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 260m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p
Другие MOSFET... DMTH10H005SCT , DMTH10H010LCT , DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , STP75NF75 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 .
History: AOC3860C | D2N60 | B2N65
History: AOC3860C | D2N60 | B2N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent


