ISP80N08S2L - описание и поиск аналогов

 

ISP80N08S2L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISP80N08S2L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ISP80N08S2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP80N08S2L даташит

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 isp80n08s2l.pdf pdf_icon

ISP80N08S2L

isc N-Channel MOSFET Transistor ISP80N08S2L FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 7.1m (Max) DS(on) 175 C operating temperature Advanced trench process technology 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , IRF4905 , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 .

History: EC4953

 

 

 

 

↑ Back to Top
.