Справочник MOSFET. ISP80N08S2L

 

ISP80N08S2L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISP80N08S2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP80N08S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 isp80n08s2l.pdf pdf_icon

ISP80N08S2L

isc N-Channel MOSFET Transistor ISP80N08S2LFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-ResistanceR :7.1m(Max)DS(on)175C operating temperatureAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1940 | DMP4025SFG | IPD50R280CE | FK16UM-5 | SMK0870F | NDT6N70 | IXTP2R4N120P

 

 
Back to Top

 


 
.