Справочник MOSFET. ISP80N08S2L

 

ISP80N08S2L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISP80N08S2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ISP80N08S2L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP80N08S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 isp80n08s2l.pdf pdf_icon

ISP80N08S2L

isc N-Channel MOSFET Transistor ISP80N08S2LFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-ResistanceR :7.1m(Max)DS(on)175C operating temperatureAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , IRF4905 , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.