Справочник MOSFET. ISP80N08S2L

 

ISP80N08S2L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ISP80N08S2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для ISP80N08S2L

 

 

ISP80N08S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  inchange semiconductor
 isp80n08s2l.pdf

ISP80N08S2L ISP80N08S2L

isc N-Channel MOSFET Transistor ISP80N08S2LFEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-ResistanceR :7.1m(Max)DS(on)175C operating temperatureAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top