ES4812 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ES4812
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ES4812 Datasheet (PDF)
..1. Size:640K eternal
es4812.pdf
es4812.pdf
Eternal Semiconductor Inc.ES4812Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 6.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.24 @ VGS = 10V, ID=6.9A30V 6.9A30 @ VGS = 4.5V, ID=5.8AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking4 8 1 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
