ES4812 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ES4812
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ES4812
ES4812 Datasheet (PDF)
es4812.pdf

Eternal Semiconductor Inc.ES4812Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 6.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.24 @ VGS = 10V, ID=6.9A30V 6.9A30 @ VGS = 4.5V, ID=5.8AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking4 8 1 2
Другие MOSFET... NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , AO4407 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 .
History: SD5001N | AOL1412 | STL8N65M5 | AOK125A60 | WMK037N10HGS | MDIS3N40TH | 2SK664
History: SD5001N | AOL1412 | STL8N65M5 | AOK125A60 | WMK037N10HGS | MDIS3N40TH | 2SK664



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet