ES4812 - описание и поиск аналогов

 

ES4812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ES4812

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ES4812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES4812 даташит

 ..1. Size:640K  eternal
 es4812.pdf pdf_icon

ES4812

Eternal Semiconductor Inc. ES4812 Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 6.9A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m ) Typ. 24 @ VGS = 10V, ID=6.9A 30V 6.9A 30 @ VGS = 4.5V, ID=5.8A Features Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Lead Pb -free and halogen-free TOP Marking 4 8 1 2

Другие MOSFET... NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , 13N50 , ES4953 , ES9435 , ES9926 , ET2316 , ET2N7002K , ET4410 , ET4435 , ET6300 .

History: D4NK50Z-TO252

 

 

 

 

↑ Back to Top
.