ET4435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ET4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ET4435 Datasheet (PDF)
et4435.pdf
Eternal Semiconductor Inc. ET4435P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -9.1A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)TYP16 @ VGS = -10V ,ID=-9.1A-30 -9.121 @ VGS = -4.5V,ID=-6.9AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package Ordering information ET4435LeadPb-free and halogen-f
cet4435a.pdf
CET4435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -8.8A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 35m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-
cet4435a.pdf
CET4435Awww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
