Справочник MOSFET. ET6304

 

ET6304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ET6304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ET6304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:960K  eternal
et6304.pdfpdf_icon

ET6304

Eternal Semiconductor Inc.ET6304N-Channel High Density Trench MOSFET (30V, 64A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ. 4 @ VGS = 10V, ID=20A30V 645.7 @ VGS = 4.5V, ID=16AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking ET6304 XXXXXX

 9.1. Size:688K  eternal
et6300.pdfpdf_icon

ET6304

Eternal Semiconductor Inc.ET6300N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V,45A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max7.9 @ VGS = 10V, ID=20A30V 45A 12 @ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Fast Switching LeadPb-free and halogen-freePin 1 / 2 / 3:

 9.2. Size:457K  eternal
et6309.pdfpdf_icon

ET6304

Eternal Semiconductor Inc.ET6309N-Channel Fast Switching MOSFET (30V, 100A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Max4 @ VGS = 10V, ID=30A 30V 100A6 @ VGS = 4.5V, ID=15AFeatures Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trenchtechnology 100% EAS Guaranteedtechnology LeadPb-free and halogen-freeTOP Marking E

 9.3. Size:758K  eternal
et6303.pdfpdf_icon

ET6304

Eternal Semiconductor Inc.ET6303P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -47A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.8.5 @ VGS = 10V, ID=20A-30V -47A15@ VGS = 4.5V, ID=10AFeatures Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability Fast Switching LeadPb-free and halogen-freePin 1 / 2

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: WMM10N70C4 | AM2398N | ME85P03 | NCE70T360 | AM90N06-16P | SI6467BDQ | STP20N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.