EV2315 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EV2315
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 497 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23
EV2315 Datasheet (PDF)
..1. Size:756K eternal
ev2315.pdf
ev2315.pdf
Eternal Semiconductor Inc.EV2315P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -5.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = -4.5 V,ID=-5.9A-20V -5.9A 29 @ VGS = -2.5V,ID=-3.0A45 @ VGS = -1.8V,ID=-1.5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV2315 Pin Assignmen
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
