EV2315 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: EV2315
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 497 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для EV2315
EV2315 Datasheet (PDF)
ev2315.pdf
Eternal Semiconductor Inc.EV2315P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -5.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = -4.5 V,ID=-5.9A-20V -5.9A 29 @ VGS = -2.5V,ID=-3.0A45 @ VGS = -1.8V,ID=-1.5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV2315 Pin Assignmen
Другие MOSFET... ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , IRF1407 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c


