EV2315 - аналоги и даташиты транзистора

 

EV2315 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EV2315
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 497 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для EV2315

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EV2315 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  eternal
 ev2315.pdf pdf_icon

EV2315

Eternal Semiconductor Inc.EV2315P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -5.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max22 @ VGS = -4.5 V,ID=-5.9A-20V -5.9A 29 @ VGS = -2.5V,ID=-3.0A45 @ VGS = -1.8V,ID=-1.5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23-3L package LeadPb-free and halogen-freeEV2315 Pin Assignmen

Другие MOSFET... ET6304 , ET6309 , ET6310 , ET6314 , ET8205 , ET8205A , ET8205B , ET8818 , RFP50N06 , EV3400 , EV3401 , EV3404 , EV3407 , EV3415 , EY4409 , GM4953 , FIR10N60FG .

History: SI3443DVPBF | BSC0993ND | F5043 | SM2206NSQG | AOC2412 | SUP50N03-5M1P | WMO26N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.