Справочник MOSFET. SMD4N65

 

SMD4N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMD4N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SMD4N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMD4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  huake
 smd4n65.pdf pdf_icon

SMD4N65

SMD4N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 4.0A, 650V, R =2.2@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... GP2301 , GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , IRFP064N , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 .

History: SI3911DV-T1 | IPS60R360PFD7S | MTH15N40

 

 
Back to Top

 


 
.