SMD7N65 - описание и поиск аналогов

 

SMD7N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMD7N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SMD7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMD7N65 даташит

 ..1. Size:895K  huake
 smd7n65.pdf pdf_icon

SMD7N65

SMD7N65 650V N-Channnel MOSFET Features 7.0A, 650V, R =1.2 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... GP2302 , GP3139 , GP3401 , HOA2303 , HOA2307 , SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , IRF730 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 .

History: CPH3459 | IGT60R070D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.