SMF14N65 - описание и поиск аналогов

 

SMF14N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMF14N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SMF14N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF14N65 даташит

 ..1. Size:467K  huake
 smf14n65.pdf pdf_icon

SMF14N65

SMF14N65 650V N-Channnel MOSFET Features 14A, 650V, R =0.6 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SPN3006 , SMD2N65 , SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , 20N60 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 .

History: RZE002P02 | H4N65U | SVF840D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.