Справочник MOSFET. SMF4N60

 

SMF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  huake
 smf4n60.pdf pdf_icon

SMF4N60

SMF4N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 4.0A, 600V, R =2.1@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:949K  huake
 smf4n65.pdf pdf_icon

SMF4N60

SMF4N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 4.0A, 650V, R =2.2@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , IRFZ44 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 .

History: SI4947DY | SML1001RHN | ISCNH346F | WMM12N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.