SMF4N65 - описание и поиск аналогов

 

SMF4N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMF4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SMF4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF4N65 даташит

 ..1. Size:949K  huake
 smf4n65.pdf pdf_icon

SMF4N65

SMF4N65 650V N-Channnel MOSFET Features 4.0A, 650V, R =2.2 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

 8.1. Size:948K  huake
 smf4n60.pdf pdf_icon

SMF4N65

SMF4N60 600V N-Channnel MOSFET Features 4.0A, 600V, R =2.1 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , IRF640 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 .

History: AP3C023AMT | WMR07P03TS | RW1E025RP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.