SMF8N65 - описание и поиск аналогов

 

SMF8N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMF8N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SMF8N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF8N65 даташит

 ..1. Size:867K  huake
 smf8n65.pdf pdf_icon

SMF8N65

SMF8N65 650V N-Channnel MOSFET Features 8.0A, 650V, R =1.1 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

 8.1. Size:867K  huake
 smf8n60.pdf pdf_icon

SMF8N65

SMF8N60 600V N-Channnel MOSFET Features 8.0A, 600V, R =1.0 @V =10V DS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , AO3400 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 .

History: IAUC120N04S6N013 | 2SK2489 | JMSL0315AP | IAUC120N04S6L009

 

 

 

 

↑ Back to Top
.