Справочник MOSFET. SMF8N65

 

SMF8N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF8N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF8N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF8N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:867K  huake
 smf8n65.pdf pdf_icon

SMF8N65

SMF8N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 8.0A, 650V, R =1.1@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:867K  huake
 smf8n60.pdf pdf_icon

SMF8N65

SMF8N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 8.0A, 600V, R =1.0@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , IRF3710 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 .

History: WMM18N50C4 | IRF8788PBF | SL120N03R

 

 
Back to Top

 


 
.