SMT10N60 - описание и поиск аналогов

 

SMT10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMT10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SMT10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMT10N60 даташит

 ..1. Size:891K  huake
 smt10n60.pdf pdf_icon

SMT10N60

SMT10N60 600V N-Channnel MOSFET Features 10.0A, 600V, R =0.7 @V =10V DS(on(Typ)) GS Low Gate Charge Low C rss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt Capability Application High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor Correction Absolute Maximum Ratings(Tc=25 C unless otherwise noted) Symbol Parameter Val

Другие MOSFET... SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , IRFB4227 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 .

History: HX2302 | JMPL0648PKQ | FIR7N65FG | ASDM40N80Q | RUU002N05 | SK2300A | 2SK3078

 

 

 

 

↑ Back to Top
.