Справочник MOSFET. SMT10N60

 

SMT10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMT10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SMT10N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMT10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  huake
 smt10n60.pdf pdf_icon

SMT10N60

SMT10N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 10.0A, 600V, R =0.7@V =10VDS(on(Typ)) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Val

Другие MOSFET... SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , AON6414A , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 .

History: FQB7P20TM_F085 | SSP60R360S2E | WMM28N60F2 | WMO22N50C4 | HSCE6032 | FQPF17P06 | APT30M30B2FLL

 

 
Back to Top

 


 
.