Справочник MOSFET. SMT8N60

 

SMT8N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMT8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SMT8N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMT8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:857K  huake
 smt8n60.pdf pdf_icon

SMT8N60

SMT8N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 8.0A, 600V, R =1.0@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , IRFB4110 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 .

History: HM4453 | IRLI640GPBF | JMTQ35N06A | IRFR4615PBF | TK80D08K3 | HSM4002 | MTH6N100E

 

 
Back to Top

 


 
.