HA20N50 - описание и поиск аналогов

 

HA20N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA20N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 231 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HA20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA20N50 даташит

 ..1. Size:4791K  haolin elec
 ha20n50.pdf pdf_icon

HA20N50

HA20N50 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise noted C, Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 500 V Continuous Drai

 0.1. Size:164K  vishay
 siha20n50e.pdf pdf_icon

HA20N50

SiHA20N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.184 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 92 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 10 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 19 Mater

 0.2. Size:402K  feihonltd
 fha20n50a.pdf pdf_icon

HA20N50

 9.1. Size:740K  feihonltd
 fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf pdf_icon

HA20N50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , 8205A , HA20N60 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P .

History: HA210N06 | 2SK1562 | IAUC100N04S6N022 | ASDM20P09ZB | RUL035N02 | RUM002N02 | HA25N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.