HA20N60 - описание и поиск аналогов

 

HA20N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA20N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HA20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA20N60 даташит

 ..1. Size:3552K  haolin elec
 ha20n60.pdf pdf_icon

HA20N60

HA20N60 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested BVDSS = 600 V Improved dv/dt capability RDS(on) typ = 0.34 1 APPLICATIONS 2 ID = 20 A 3 Switch Mode Power Supply (SMPS) 1.Gate 2. Drain 3. Source Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking

 0.1. Size:858K  feihonltd
 fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf pdf_icon

HA20N60

 8.1. Size:740K  feihonltd
 fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf pdf_icon

HA20N60

 9.1. Size:164K  vishay
 siha20n50e.pdf pdf_icon

HA20N60

SiHA20N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.184 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 92 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 10 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 19 Mater

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , 7N65 , HA210N06 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P .

History: IAUC100N04S6L014 | 2SK1562 | MEE7292-G | MS5N100 | MS5N100S | 2SK2568 | SI2333

 

 

 

 

↑ Back to Top
.