HA210N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HA210N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 135 nC
trⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO3P
HA210N06 Datasheet (PDF)
ha210n06.pdf
210A 60V N-Channel MOSFETHA210N06 FEATURES BVDSS = 60 V4mRDS(on) typ = 60V/210AID = 210 A RDS(ON)= 4m (Max)@ VGS=10V TO-3P Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss 12 High avalanche Current 31.Gate 2. Drain 3. Source Application Power Supply UPS Battery Management System Absolute Ma
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918