HA210N06 - описание и поиск аналогов

 

HA210N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HA210N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HA210N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA210N06 даташит

 ..1. Size:2781K  haolin elec
 ha210n06.pdf pdf_icon

HA210N06

210A 60V N-Channel MOSFET HA210N06 FEATURES BVDSS = 60 V 4m RDS(on) typ = 60V/210A ID = 210 A RDS(ON)= 4m (Max)@ VGS=10V TO-3P Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss 1 2 High avalanche Current 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Application Power Supply UPS Battery Management System Absolute Ma

Другие MOSFET... SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , IRFP250N , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P .

History: ASDM20P09ZB | 2SK1562 | RUL035N02 | HA25N50 | MS5N100S | IAUC100N04S6N022 | RUM002N02

 

 

 

 

↑ Back to Top
.