HA210N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

HA210N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HA210N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для HA210N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HA210N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2781K  haolin elec
 ha210n06.pdf pdf_icon

HA210N06

210A 60V N-Channel MOSFETHA210N06 FEATURES BVDSS = 60 V4mRDS(on) typ = 60V/210AID = 210 A RDS(ON)= 4m (Max)@ VGS=10V TO-3P Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss 12 High avalanche Current 31.Gate 2. Drain 3. Source Application Power Supply UPS Battery Management System Absolute Ma

Другие MOSFET... SMT12N60 , SMT5N60 , SMT8N60 , 1H05 , 1H10 , 5N04 , HA20N50 , HA20N60 , AON7408 , HA25N50 , HA9N90 , HB100N08 , HP100N08 , HB3510P , HP3510P , HB3710P , HP3710P .

History: IRF7807A | HB3510P | TJ120F06J3

 

 
Back to Top

 


 
.