Справочник MOSFET. HA210N06

 

HA210N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HA210N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HA210N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2781K  haolin elec
 ha210n06.pdf pdf_icon

HA210N06

210A 60V N-Channel MOSFETHA210N06 FEATURES BVDSS = 60 V4mRDS(on) typ = 60V/210AID = 210 A RDS(ON)= 4m (Max)@ VGS=10V TO-3P Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss 12 High avalanche Current 31.Gate 2. Drain 3. Source Application Power Supply UPS Battery Management System Absolute Ma

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: LSG65R380HT | APT6035BVFRG | TMPF4N80 | IPP35CN10NG | SI1431DH | GSM4822WS | MTP2603Q6

 

 
Back to Top

 


 
.