Справочник MOSFET. HD50N06D

 

HD50N06D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HD50N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 40 nC
   Время нарастания (tr): 105 ns
   Выходная емкость (Cd): 600 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HD50N06D

 

 

HD50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2042K  haolin elec
hd50n06d hu50n06d.pdf

HD50N06D HD50N06D

Nov 2019BVDSS = 60 VRDS(on) = 15 mHD50N06D / HU50N06DID = 50 A60V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD50N06D HU50N06D Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.)

 0.1. Size:738K  feihonltd
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf

HD50N06D HD50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 7.1. Size:156K  philips
phd50n06lt.pdf

HD50N06D HD50N06D

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 50 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

 7.2. Size:299K  feihonltd
fhu50n06a fhd50n06a.pdf

HD50N06D HD50N06D

 7.3. Size:261K  inchange semiconductor
phd50n06lt.pdf

HD50N06D HD50N06D

Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD50N06LTFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top