HU5N50 - описание и поиск аналогов

 

HU5N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HU5N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 520 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HU5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU5N50 даташит

 ..1. Size:1853K  haolin elec
 hd5n50 hu5n50.pdf pdf_icon

HU5N50

 0.1. Size:179K  vishay
 sihu5n50d.pdf pdf_icon

HU5N50

SiHU5N50D www.vishay.com Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Optimal Design VDS (V) at TJ max. 550 - Low Area Specific On-Resistance RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 1.5 - Low Input Capacitance (Ciss) Qg (max.) (nC) 20 - Reduced Capacitive Switching Losses Qgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness Qgd (nC) 5 - Avalanche Energy Rated (UIS)

Другие MOSFET... HD30N03 , HU30N03 , HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , AON7410 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 .

History: RF4E110BN | SDF920NE | ASDM30N55E | JMSH0606AGQ | SUD50N04-09H | PIP8205-Z6 | HD60N75

 

 

 

 

↑ Back to Top
.