Справочник MOSFET. HU60N03

 

HU60N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HU60N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HU60N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU60N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2558K  haolin elec
 hd60n03 hu60n03.pdf pdf_icon

HU60N03

Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 0.014HD60N03 / HU60N03ID = 60 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) E

 9.1. Size:2721K  haolin elec
 hd60n75 hu60n75.pdf pdf_icon

HU60N03

Nov 2009BVDSS = 75VRDS(on) = 16 mHD60N75 / HU60N75ID = 60 A75V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exten

Другие MOSFET... HD30N06 , HU30N06 , HD40N04 , HD50N06D , HU50N06D , HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , 4435 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 .

History: HTD060N03 | QM3009K | NCE65N460K | CED4204 | DMG9N65CT | AP60T03AS | NTLUS4C12N

 

 
Back to Top

 


 
.