HU60N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HU60N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18.5 nC
Время нарастания (tr): 155 ns
Выходная емкость (Cd): 570 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO251
HU60N03 Datasheet (PDF)
hd60n03 hu60n03.pdf
Nov 2009BVDSS = 30 VRDS(on) = 0.014HD60N03 / HU60N03ID = 60 A30V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N03 HU60N03 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18.5 nC (Typ.) E
hd60n75 hu60n75.pdf
Nov 2009BVDSS = 75VRDS(on) = 16 mHD60N75 / HU60N75ID = 60 A75V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD60N75 HU60N75 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 40 nC (Typ.) Exten
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C