Справочник MOSFET. HD830

 

HD830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HD830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HD830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1646K  haolin elec
 hd830 hu830.pdf pdf_icon

HD830

June 2009BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.5 HD830 / HU830ID = 5 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830 HU830 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Exte

 0.1. Size:3032K  haolin elec
 hd830u hu830u.pdf pdf_icon

HD830

June 2014BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.1 HD830U / HU830UID = 5.0 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830U HU830U Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.)

Другие MOSFET... HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , IRFP250 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 .

History: EFC2K107NUZ

 

 
Back to Top

 


 
.