HD830U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HD830U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для HD830U
HD830U Datasheet (PDF)
hd830u hu830u.pdf

June 2014BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.1 HD830U / HU830UID = 5.0 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830U HU830U Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.)
hd830 hu830.pdf

June 2009BVDSS = 550 VRDS(on) typ = 1.5 HD830 / HU830ID = 5 A550V N-Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD830 HU830 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15.5 nC (Typ.) Exte
Другие MOSFET... HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , 20N50 , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 .
History: AP72T03GH | KNP3208A | SSF7510 | AOWF10N65 | 2SK3412D | 2SK2749 | KNP2803A
History: AP72T03GH | KNP3208A | SSF7510 | AOWF10N65 | 2SK3412D | 2SK2749 | KNP2803A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023