HU840U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HU840U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HU840U
HU840U Datasheet (PDF)
hd840u hu840u.pdf

Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.75 HD840U/HU840U ID = 8.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-251TO-252FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Ex
Другие MOSFET... HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , 18N50 , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 .
History: UPA2200T1M | BL12N65-A | MSK20P80GNF | MMD60R580PBRH | AUIRF7736M2TR | STB18NF30 | AUIRFB3806
History: UPA2200T1M | BL12N65-A | MSK20P80GNF | MMD60R580PBRH | AUIRF7736M2TR | STB18NF30 | AUIRFB3806



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078