HU840U - аналоги и даташиты транзистора

 

HU840U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HU840U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HU840U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HU840U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2494K  haolin elec
 hd840u hu840u.pdf pdf_icon

HU840U

Sep 2011 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.75 HD840U/HU840U ID = 8.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-251TO-252FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 25 nC (Typ.) Ex

Другие MOSFET... HU60P03 , HD70N08 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , BS170 , HF10N60 , HF12N60 , HF20N50 , HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 .

History: BSC072N03LD | AOC2870

 

 
Back to Top

 


 
.