HFS13N50 - описание и поиск аналогов

 

HFS13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HFS13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS13N50 даташит

 ..1. Size:930K  haolin elec
 hfs13n50.pdf pdf_icon

HFS13N50

Sep 2009 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.4 HFS13N50 ID = 13 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ ) Ext

 0.1. Size:151K  semihow
 hfs13n50u.pdf pdf_icon

HFS13N50

Nov 2013 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.39 HFS13N50U ID = 13 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 34 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 0.2. Size:154K  semihow
 hfs13n50s.pdf pdf_icon

HFS13N50

March 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS13N50S ID = 13 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.1. Size:185K  semihow
 hfs13n60u.pdf pdf_icon

HFS13N50

Sep 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.33 HFS13N60U ID = 14.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 60.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HP20N50 , HF20N60 , HP20N60 , HF25N50 , HP25N50 , HF5N65 , HF640 , HP640 , IRF520 , HP120N04 , HP16N10 , HF16N10 , HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 .

History: JMSL0301AG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.