Справочник MOSFET. HF16N10

 

HF16N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HF16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HF16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4770K  haolin elec
 hp16n10 hf16n10.pdf pdf_icon

HF16N10

H P16N10,H F16N10100V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Absolute Maximum Ratings TC = 25 unless otherwise notedC,ValueParameter Symbol UnitTO220F TO-220Drain-Source Voltage (VGS = 0V) V

 9.1. Size:292K  vishay
 sihp16n50c sihb16n50c sihf16n50c.pdf pdf_icon

HF16N10

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50Cwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560RDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220A

 9.2. Size:175K  vishay
 sihb16n50c sihf16n50c sihp16n50c.pdf pdf_icon

HF16N10

SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50Cwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x QgVDS (V) at TJ max. 560RDS(on) ()VGS = 10 V 0.38 100 % Avalanche TestedQg (Max.) (nC) 68 Gate Charge ImprovedQgs (nC) 17.6 Trr/Qrr ImprovedQgd (nC) 21.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTO-220A

 9.3. Size:1349K  cn wxdh
 dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf pdf_icon

HF16N10

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGN080N10S | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | SFF75N06M

 

 
Back to Top

 


 
.