Справочник MOSFET. HY050N08P

 

HY050N08P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY050N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1649 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY050N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  hymexa
 hy050n08p hy050n08b.pdf pdf_icon

HY050N08P

HY050N08P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices Available G(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterOrdering and Marking Information Package Code P B P:TO-220FB-

 6.1. Size:1288K  hymexa
 hy050n08c2.pdf pdf_icon

HY050N08P

HY050N08C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionS S S GD D D D 80V/80ARDS(ON)= 5.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)S S S G D D D DPPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MTP33N10E | BSC032N03SG | IRFP9240 | BF964S | AP9575GI | FS10KM-10 | PHD36N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.