HY050N08P - аналоги и даташиты транзистора

 

HY050N08P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HY050N08P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1649 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HY050N08P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY050N08P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  hymexa
 hy050n08p hy050n08b.pdf pdf_icon

HY050N08P

HY050N08P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 85V/105ARDS(ON)= 4.7m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche TestedSDG Reliable and RuggedSD Lead Free and Green Devices Available G(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switch application DC/DC ConverterOrdering and Marking Information Package Code P B P:TO-220FB-

 6.1. Size:1288K  hymexa
 hy050n08c2.pdf pdf_icon

HY050N08P

HY050N08C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionS S S GD D D D 80V/80ARDS(ON)= 5.2m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)S S S G D D D DPPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Netwo

Другие MOSFET... HP60N75 , HP80N80 , HY029N10P , HY029N10B , HY030N06C2 , HY045N10P , HY045N10B , HY050N08C2 , IRF830 , HY050N08B , HY0810S , HY0910D , HY0910U , HY0910V , HY0C20C , HY10P10D , HY10P10U .

History: MDD1901RH | SIUD403ED | KIA2305 | LSGC085R065W3 | SWSI2N40DC | BR4407 | 2SK2931

 

 
Back to Top

 


 
.