HY0810S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY0810S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 78 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HY0810S Datasheet (PDF)
..1. Size:1243K hymexa
hy0810s.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
hy0810s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HIJKLJM4567899 9789 9 " . O ! # P# @?? Q*R DDN?YZ U\]^_W `Pa%X@?PST%U'VWX DDNST%U'VWX YZ U\]^_W`Pa%X_PRb5cd6e9S 5\9
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .