HY0810S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY0810S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HY0810S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY0810S даташит

 ..1. Size:1243K  hymexa
 hy0810s.pdf pdf_icon

HY0810S

HIJKLJM 4567899 9789 9 " . O ! # P # @?? Q*R D D N?YZ U ]^_W Pa%X@?P ST%U'VWX D D N ST%U'VWX YZ U ]^_W Pa%X _ P Rb5cd6e9S 5 9

Другие IGBT... HY029N10P, HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, IRFZ46N, HY0910D, HY0910U, HY0910V, HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S