HY0910D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY0910D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.143 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HY0910D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY0910D даташит

 ..1. Size:2033K  hymexa
 hy0910d hy0910u hy0910v.pdf pdf_icon

HY0910D

S D S S G D D G G S D G TO-251-3L TO-251-3S TO-252-2L N-Channel MOSFET

Другие IGBT... HY029N10B, HY030N06C2, HY045N10P, HY045N10B, HY050N08C2, HY050N08P, HY050N08B, HY0810S, IRF830, HY0910U, HY0910V, HY0C20C, HY10P10D, HY10P10U, HY1103S, HY1106S, HY1203S