HY0910U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY0910U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 52 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.143 Ohm
Тип корпуса: TO251
HY0910U Datasheet (PDF)
hy0910d hy0910u hy0910v.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
S DSSGDDGG SDG TO-251-3L TO-251-3STO-252-2L N-Channel MOSFET
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![HY0910U](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HY0910U](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HY0910U](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RUQ4040M2 | RUH85350T | RUH85230S | RUH85210R | RUH85150R | RUH85120S | RUH85120M-C | RUH85100M-C | RUH60D60M | RUH6080R | RUH6080M3-C | RUH60120M | RUH60120L | RUH40E12C | RUH40D40M | RUH4040M3