HY1210U - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HY1210U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для HY1210U
HY1210U Datasheet (PDF)
hy1210d hy1210u hy1210v.pdf
HY1210D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturePin Description 100V/26ARDS(ON)= 32m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche TestedSSD Reliable and RuggedDGG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management for Inverter SystemsN-Channel MO
Другие MOSFET... HY0910V , HY0C20C , HY10P10D , HY10P10U , HY1103S , HY1106S , HY1203S , HY1210D , AO4407A , HY1210V , HY12P03C2 , HY12P03S , HY1303C , HY1310D , HY1310U , HY1310V , HY1403D .
History: QM2409G | JCS630RA | AP20N15GI-HF
History: QM2409G | JCS630RA | AP20N15GI-HF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620


