Справочник MOSFET. HY1210U

 

HY1210U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1210U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 72 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 38 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HY1210U

 

 

HY1210U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2410K  hymexa
 hy1210d hy1210u hy1210v.pdf

HY1210U HY1210U

HY1210D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturePin Description 100V/26ARDS(ON)= 32m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON) = 34m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche TestedSSD Reliable and RuggedDGG Halogen Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Power Management for Inverter SystemsN-Channel MO

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top