HY12P03S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY12P03S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 370 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
HY12P03S Datasheet (PDF)
hy12p03s.pdf
HY12P03SP -Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30 / -12AVDD11.5 RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-10VDD16.5RDS(ON)= m (typ.) @ VGS=-4.5VAvalanche Rated SSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)pplicationsA Power Management in DC/DC ConverterP-Channel MOSFETOrdering and
hy12p03c2.pdf
HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-50AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.4m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 14.2m(typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po
hy12p03c2.pdf
HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description -30V/-50AD D D D D D D DRDS(ON)= 10.4m(typ.) @VGS = -10VRDS(ON)= 14.2m(typ.) @VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Po
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
